鐵嶺市元晟高頻設備有限責任公司
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一、中頻電源的優(yōu)勢
(1)IGBT中頻電源是一種采用串聯(lián)諧振式的中頻感應熔煉爐,它的逆變器件為一種新型IGBT模塊(絕緣柵雙極型晶體管,德國生產(chǎn)),它主要用于熔煉普通碳素鋼、合金鋼、鑄鋼、有色金屬。它具有熔化速度快、節(jié)能、高次諧波污染低等優(yōu)點。
(2)IGBT中頻電源為一種恒功率輸出電源,加少量料即可達到滿功率輸出,并且始終保持不變,所以熔化速度快;因逆變部分采用串聯(lián)諧振,且逆變電壓高,所有IGBT中頻比普通可控硅中頻節(jié)能;IGBT中頻采用調(diào)頻調(diào)功,整流部分采用全橋整流,電感和電容濾波,且一直工作在500V,所以IGBT中頻產(chǎn)生高次諧波小,對電網(wǎng)產(chǎn)生污染工低。
(3)節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比傳統(tǒng)可控硅中頻電源可節(jié)能15%-25%,節(jié)能的主要原因有以下幾下方面:
A、逆變電壓高,電流小,線路損耗小,此部分可節(jié)能15%左右,節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源逆變電壓為2800V,而傳統(tǒng)可控硅中頻電源逆變電壓僅為750V,電流小了近4倍,線路損耗大大降低。
B、功率因數(shù)高,功率因數(shù)始終大于0.98,無功損耗小,此部分比可控硅中頻電源節(jié)能3%-5%。由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用了半可控整流方式,整流部分不調(diào)可控硅導通角,所以整個工作過程功率因數(shù)始終大于0.98,無功率損耗小。
(4)高次諧波干擾:高次諧波主要來自整流部分調(diào)壓時可控硅產(chǎn)生的毛刺電壓,會嚴重污染電網(wǎng),導致其他設備無法正常工作,而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源的整流部分 采用半可控整流方式,直流電壓始終工作在最高,不調(diào)導通角,所以它不會產(chǎn)生高次諧波,不會污染電網(wǎng)、變壓器,開關不發(fā)熱,不會干擾工廠內(nèi)其他電子設備運行。
(5)恒功率輸出:可控硅中頻電源采用調(diào)壓調(diào)功,而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功,它不受爐料多少和爐襯厚薄的影響,在整個熔煉過程中保持恒功率輸出,尤其是生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等不導磁物質(zhì)時,更顯示它的優(yōu)越性,熔化速度快,爐料元素燒損少,降低鑄造成本。
二、中頻電源的I注意事項
(1)IGBT 管由于有漏柵寄生電 容的密勒效應,能引起意外的尖峰電壓損害管子,所以應 用時讓柵極電路的阻抗足夠低以盡量消除其負面影響;
(2) 柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動電路內(nèi)阻抗對 IGBT 的開通過程,驅(qū) 動脈沖的波形有很大影響.應用時應綜合考慮;
(3)應采 用慢降柵壓技術來控制故障電流的下降速率,從而抑制器
(4)在工作 件的 dv/d 和 ce的峰值,達到短路保護的目的; 電流較大的情況下,為了減小關斷過電壓,應盡量減小主 電路的布線電感,吸收電容器應采用低感型.